在人们早已对“环保杀手”白炽灯嗤之以鼻之时，基于GaN的蓝色发光二极管闪亮登场，其将照亮整个21世纪！

二维量子限域效应下的GaN拥有独特的光电特性，极具潜力。

然而其垂直方向上难以断裂的Ga-N键让GaN的二维化之路荆棘密布。

传统量子阱生长的二维GaN非本征，相对先进的石墨烯封装法得到的也只是碎片。

在这“紧箍咒”（量子阱）和“五指山”（石墨烯封装）的双重束缚之下，“齐天大圣”GaN也只能被迫粉身碎骨，郁郁不得志。

这时，神奇的液态金属镓走进了我们的视野，兼具金属和液体的优秀特性。

镓凭借其良好的流动性和表面高传质速率，让GaN展现出理想的“自由生长”行为，

为GaN提供了一个柔软的舞台使其能够“自由伸展”。

摆脱了“紧箍咒”和“五指山”，GaN终于能够脚踏“筋斗云”，自由生长！

陈赟旭、刘柯利、刘津欣和吕天瑞基于液态金属镓，设计出表面限域氮化策略, 首次成功制备出了二维GaN单晶，观察到了显著的量子限域效应。

然而，它的神奇之旅才刚刚开始，我们期待着二维GaN的研究热潮会迅速来袭，也期待着它未来在电子、光电子器件领域发挥重要的作用。

这一研究成果发表在Journal of the American Chemical Society上。