“芯”时代的发展这么快，具有神话般的存储能力。

为医学领域创造着奇迹，在航空航天与国防事业中也展露着强大的威力。

“我怎么才能更强大呢，也为芯片的发展做些什么呢？”小小的氧化物绝缘层思索着。

多晶和无定形态一直束缚着氧化物的制备，怎么样才可以实现单晶且高绝缘性的氧化物呢？

如果从基底入手可以改变什么吗？

杨柯娜和张涛等创新性的将液态再固化的Ag引入氧化物的制备过程中，利用Ag基底的缓释控制，实现了新型二维氧化锑单晶的制备。

它类锑烯的结构为其二维化提供了得天独厚的优势，同时，高达100的介电常数和5.7 GV m⁻¹的击穿电压也为

电学器件领域注入新的血液。这样的策略同样也适用其他二维氧化物单晶的制备（氧化锡，氧化锗与氧化铋）。

这一研究成果发表在了Nature Communications上了。。。