兰海辉，男，山西省太原市人，弘毅学堂2018级本科生。目前研究方向为二维非层状材料可控生长，发表SCI论文于Small上，同时合作发表论文于Advanced Materials、Nature Communications，申请发明专利一项。获国家奖学金、NITORI奖学金甲等奖学金等，被评为武汉大学十大杰出青年（学生）、校级优秀毕业生、弘毅新青年等。
大道不器、敦品励学
《礼记》有云“大道不器”，世间的科学道理本就存在，只待吾辈上下求索。作为新时代下的LANer，理应像梁章钜先生所言“敦品励学”，在科研上尽自己的一份力。
初入实验室，兰海辉首先接触到的便是生长非层状的III-V族半导体材料。师姐利用巧妙地基底修饰，破坏了这一类强共价键材料的各向同性生长行为，这一新奇的设计激发了他进一步探索非层状材料生长的兴趣。而后他先后合成了超薄的Ge(110)单晶、In4Te3单晶、GaTe单晶、SnTe单晶等，在材料合成上有自己独特的心得。
这一切都源于付老师长期致力于的液态金属生长体系。在老师和师兄师姐的教导下，他意识到液态金属具有寻常基底不具备的特殊性质，进而将其应用于不同材料的可控制备中。正是老师和师兄师姐支持与帮助，才能较为深入的讨论出每一种材料的成核方式与生长机理。
勇于开拓、不惧困难。这是兰海辉在实验室学到的LANer精神，老师及师兄师姐们可以从无到有为实验室开辟一个个领域，他也可以从零开始踏足理论计算的研究。纵然学习是枯燥乏味且伴随一次次的挫败，但是勤于学习、勇于尝试，终能吃透自己所需要研究的内容，在课题研究上更进一步。
谈及未来的打算，兰海辉希望去美国斯坦福大学或麻省理工学院等留学，进入催化或者柔性电子器件等全新的领域进行学习，不断丰富自己的研究能力，争取成为和付老师、曾老师一样的科学家。
