五一劳动节刚过，LAN就迎来了一位重量级嘉宾——北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授，彭教授在化北118与大家分享了一点个人经历，并随后在化学院会议室上做了题为“高迁移率半导体BOX的可控生长与光电器件”的报告。

彭教授目前的研究方向主要包括石墨烯的前瞻性制备以及拓扑绝缘体的研究，在制备决定未来的背景下，彭教授对如何长出高质量的石墨烯大单晶做着一系列的工作。而对于目前主流的二维材料，石墨烯缺少带隙，二硫化钼迁移率不高，黑磷不稳定等问题，彭教授首次发现了兼具高迁移率、合适带隙、环境稳定的二维材料硒氧化铋！

在会议室的报告上，彭教授首先向我们介绍了晶体管目前发展的限制，随着集成器件越来越小，硅材料在摩尔定律下也渐渐达到其物理极限，根据晶体管的原理，目前一些高迁移率的二维材料被期待作为一种潜在的替代材料。谈到具体的研究，彭教授系统的讲述了他的“5S”石墨烯单晶的制备，“超大，超快，超洁净，超平整，超导电”让人印象深刻，不仅仅包括石墨烯的高质量大单晶生长，也包括如何洁净的转移，每个工作都在朝着实际的方向努力，并且都取得了很好的成果。之后彭教授向我们介绍了全新的高迁移率二维半导体硒氧化铋，让人惊叹高性能的同时，也对彭教授探索一种全新二维材料的能力表示钦佩。报告之后，彭教授对大家的一些疑问都做出了很好的解答，让我们受益匪浅。彭教授对于课题的背景知识了解深入，研究思路完整，比如对于石墨烯制备中一些主流问题是如何解决，做到了何种程度，让我们很清楚的看到了他在这一领域的研究。听完彭教授的报告，学到更多的是一些专业知识，也能从中体会到一些做科研的思路，这些都是需要我们在今后的科研中学习与借鉴的地方！（通讯员：笪煜民，图：翁政）

彭海琳，吉林大学化学系学士，北京大学化学与分子工程学院博士，斯坦福大学材料科学与工程系博士后。2009年6月到北京大学工作至今，现为北京大学化学与分子工程学院教授和课题组长、博士生导师、国家杰出青年科学基金获得者、国家青年973项目首席科学家。主要从事物理化学与新能源纳米技术研究，当前研究兴趣包括石墨烯、拓扑绝缘体和二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。已发表SCI收录论文110余篇，影响因子超过7的论文90余篇，包括Nature子刊(12篇)、J. Am. Chem. Soc.(10篇)、Nano Lett.(22篇)、Adv. Mater.(10篇)、Phys. Rev. Lett.(1篇)、ACS Nano(9篇)、Acc. Chem. Res.(1篇)、Coord. Chem. Rev.(1篇)，Nano Today (1篇)，论文被他引逾7000次，单篇最高他引2500余次；申请和授权专利20项。近5年来，在国际及双边重要学术会议上做邀请报告40余次，筹划和组织国际和双边会议6次。担任中国化学会纳米化学专业委员会委员、北京市石墨烯科技创新专项技术咨询专家委员会专家、中国石墨烯标准化委员会委员、中关村石墨烯产业联盟专家委员会秘书长、《中国科学：化学》青年编委和《科学通报》编委、北京市第十一届青联委员。